RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
69
75
Rund um 8% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
7.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
1457
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Essencore Limited KD48GU88A-26N1600 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston MSI24D4S7S8S8-8 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 99U5711-001.A00G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link