RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
69
Rund um -28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,926.6
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
69
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
4,419.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
1,926.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
662
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M3 78T2863RZS-CF7 1GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XRMWRN-HYA 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link