RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Gesamtnote
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
69
Rund um -138% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.9
1,857.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,217.2
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,857.7
8.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
668
2284
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C16 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9965589-035.D00G 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKW 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link