RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
58
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
13.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3409
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link