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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
58
Rund um -61% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
13.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3313
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
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Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB RAM-Vergleiche
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Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
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Kingston 9905702-071.A00G 8GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
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