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Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
58
Rund um -142% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4B2133C10 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
11.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3012
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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