RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
58
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
16.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3768
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4000C19 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link