RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
43
58
Rund um -35% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
10.5
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
43
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
10.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2430
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link