RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
58
Rund um -93% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2962
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3200C16 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link