RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
58
70
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
70
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
1923
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FAD1 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link