RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
13.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3188
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingston HP32D4U8D8HC-16X 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRS 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link