RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
58
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
12.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2994
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TFTD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link