RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
58
Rund um -222% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
16.4
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
20.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
16.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3722
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBXL 4GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Super Talent F24SB8GH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905665-009.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-035.C00G 32GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link