RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
58
Rund um -205% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
20.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
17.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3821
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4WL.M16FE 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1636181DCW 16G
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Avant Technology J642GU42J9266N4 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B4266C19 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link