RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
58
Rund um -87% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
19.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
17.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3895
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link