RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
58
Rund um -176% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
19.4
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
20.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
19.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
4089
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link