RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
58
Rund um -49% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2725
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 16G3200CL22 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link