RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
21
58
Rund um -176% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.9
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
21
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
18.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2772
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9905665-021.A00G 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link