RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
58
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
16.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
12.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2487
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT16GX4M2K3600C16 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link