RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
58
Rund um -71% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.1
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
8.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2365
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KYXC0V-MIH 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link