RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
58
Rund um -57% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.7
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
9.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
2277
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7JJR8N-VK 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link