RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
19.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
58
Rund um -132% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.8
1,950.7
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
58
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,241.0
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,950.7
17.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
651
3910
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link