RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB vs Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Gesamtnote
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
2,384.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
52
65
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
5
4
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
65
52
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,605.9
5,635.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,451.8
2,384.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
878
1037
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT451S6MFR8C
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GRK 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Neo Forza NMUD416E82-3600 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link