RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,096.4
11.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
60
Rund um -140% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,168.7
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,096.4
11.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
693
2912
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
ISD Technology Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SpecTek Incorporated 16G2666CL19 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT64GX4M4C3466C16 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Ramaxel Technology RMUA5090KE68H9F2133 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston 99U5316-024.A00LF 1GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link