RAM-Vergleich Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Gesamtnote

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

4 11.1

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

30 60

Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

6.1 2,168.2

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

17000 5300

Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit

5-5-5-15 / 667 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

941 1254

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns