RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3936
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4133 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2400C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link