RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
60
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
15.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3562
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4B.M16FB1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GS88N26-JJJHA0 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link