RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
45
60
Rund um -33% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
13.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2841
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2666C18 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston K000MD44U 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Micron Technology 16KTF51264AZ-1G6K1 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link