RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
60
Rund um -50% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
40
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2981
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT16G4D26BFT4.C16FD 16GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link