RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
60
Rund um -94% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.9
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2817
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G24S815RGB 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GIS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link