RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
11.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
60
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
11.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
10.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2475
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMR64GX4M4C3000C15 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston ACR16D3LFS1KBG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link