RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
60
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
20.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
13.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2973
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2133C1XMP 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston MSI24D4S7S8MB-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link