RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
60
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3231
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3333C16 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link