RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
60
Rund um -122% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3767
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9965589-043.E00G 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FE 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link