RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
20.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
60
Rund um -114% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
20.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
17.3
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3762
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FHD 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair MK16GX44B3000C15 4GB
Kllisre 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Flasys CL4-4-4DDR2-533 512MB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link