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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
60
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.5
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2171
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
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OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
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