RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
60
Rund um -82% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.1
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
13.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
9.1
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2209
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston 99U5663-001.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link