Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,168.2 left arrow 11.7
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Einen Fehler melden
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    34 left arrow 60
    Rund um -76% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 5300
    Rund um 3.21 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    60 left arrow 34
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,595.2 left arrow 15.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,168.2 left arrow 11.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    941 left arrow 2881
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche