RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
60
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
8.7
4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.2
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
8.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
6.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1842
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB RAM-Vergleiche
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C16 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link