RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
60
Rund um -76% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
11.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
2776
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G33 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-009.A00G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVRB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link