RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
60
Rund um -173% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
12.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3013
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Neo Forza NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BZISHC 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905702-019.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link