RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
46
60
Rund um -30% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.2
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
46
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
7.2
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1854
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link