RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
75
Rund um 20% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.0
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
75
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
13.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
7.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1457
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FBD 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link