RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3961
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link