RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
60
Rund um -107% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
16.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
3961
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston KHX2666C16S4/32G 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905702-006.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK32GX4M4B2800C14 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link