RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
73
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
7.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1727
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK128GX4M4A2400C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW32GX4M4Z4000C18 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link