RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
60
73
Rund um 18% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.6
2,168.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
60
73
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,595.2
14.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,168.2
7.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
941
1727
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link