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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
39
65
Rund um -67% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
39
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
15.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
10.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2478
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
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