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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
65
Rund um -103% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2528
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
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Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
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