RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
14.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
65
Rund um -117% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
14.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
3465
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL32G32C16U4W.M16FB1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M393A4K40BB2-CTD 32GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200E 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link