Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Gesamtnote
star star star star star
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB

Unterschiede

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 15.7
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    58 left arrow 65
    Rund um -12% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.9 left arrow 2,784.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 6400
    Rund um 4 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    65 left arrow 58
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,806.8 left arrow 15.7
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,784.6 left arrow 9.9
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    932 left arrow 2096
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche