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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
65
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,806.8
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,784.6
11.8
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
932
2771
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FE 16GB
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Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
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